STE40NA60是一款高电压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由STMicroelectronics公司生产。该器件专为高功率应用而设计,如电源转换器、马达控制、照明系统以及工业自动化设备。STE40NA60采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗并提高了整体效率。此外,该MOSFET具有较高的热稳定性和可靠性,适合在高温环境下运行。STE40NA60通常采用TO-220或D2PAK等封装形式,以适应不同的电路设计需求。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):600V
连续漏极电流(ID):40A
栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):典型值为0.14Ω(在VGS=10V时)
最大功耗(PD):200W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220, D2PAK
STE40NA60具备多项优异特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,它的导通电阻非常低,这意味着在导通状态下,MOSFET的功率损耗较小,从而提高了系统的整体效率。这种低RDS(on)特性对于设计高效能的电源转换器和电机控制器尤为重要。
其次,STE40NA60具有较高的漏源击穿电压(600V),能够承受较大的电压应力,适用于高压环境下的应用。同时,它能够支持高达40A的连续漏极电流,适合需要大电流驱动的应用场景。
此外,STE40NA60的栅源电压范围较宽,可达±30V,这使得它在各种驱动电路中具有较高的灵活性。该器件还具有良好的热稳定性,能够在高温条件下稳定运行,提高了其在恶劣环境下的可靠性。
STE40NA60的最大功耗为200W,确保其在高功率负载下仍能保持良好的性能。其工作温度范围从-55°C到+150°C,适应了广泛的工作环境条件。封装形式包括TO-220和D2PAK,这两种封装都具有良好的散热性能,有助于提高器件的可靠性和寿命。
STE40NA60广泛应用于需要高电压和大电流处理能力的电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器、照明控制系统、工业自动化设备以及各种类型的功率放大器。在这些应用中,STE40NA60的低导通电阻和高耐压特性使其成为理想的功率开关器件,有助于提高系统效率并减少热量产生。
在开关电源中,STE40NA60可以用于构建高效的功率转换电路,如反激式转换器或正激式转换器,以实现高效率的直流-直流或交流-直流转换。在电机控制系统中,该MOSFET可用于H桥驱动电路,提供高效的电机速度和方向控制。
此外,STE40NA60也常用于照明系统,如LED驱动器和高强度放电灯(HID)镇流器,用于调节和控制光源的功率。在工业自动化设备中,该器件可以用于控制各种高功率负载,如加热元件、风扇和泵等。
STP40NF60, STP40NF60FP, IRF840, IRF740