FDZ501D是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等功率电子设备中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。
FDZ501D的主要特点是其能够在高频条件下保持高效运行,同时具备较强的电流承载能力,适合于对效率和可靠性要求较高的应用场合。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:50A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:39nC
输入电容:1420pF
总开关时间:75ns
工作温度范围:-55℃ to 150℃
FDZ501D采用了先进的硅技术设计,拥有以下突出特性:
1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗,提高系统效率。
2. 高额定电流,支持大负载应用。
3. 快速开关性能,减少开关损耗并优化高频下的表现。
4. 良好的热稳定性,能够在宽广的工作温度范围内可靠运行。
5. 符合RoHS标准,环保且无铅封装。
6. 紧凑型封装形式,节省PCB空间,适用于高密度电路设计。
FDZ501D主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中的功率管理模块。
5. 工业控制设备中的负载切换功能。
6. 电动车和电动工具中的功率调节组件。
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L