您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FDZ501D

FDZ501D 发布时间 时间:2025/5/28 10:17:46 查看 阅读:10

FDZ501D是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等功率电子设备中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。
  FDZ501D的主要特点是其能够在高频条件下保持高效运行,同时具备较强的电流承载能力,适合于对效率和可靠性要求较高的应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:39nC
  输入电容:1420pF
  总开关时间:75ns
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

FDZ501D采用了先进的硅技术设计,拥有以下突出特性:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流,支持大负载应用。
  3. 快速开关性能,减少开关损耗并优化高频下的表现。
  4. 良好的热稳定性,能够在宽广的工作温度范围内可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且无铅封装。
  6. 紧凑型封装形式,节省PCB空间,适用于高密度电路设计。

应用

FDZ501D主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
  3. 电机驱动电路中的功率开关。
  4. 太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中的功率管理模块。
  5. 工业控制设备中的负载切换功能。
  6. 电动车和电动工具中的功率调节组件。

替代型号

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

FDZ501D推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价