FDZ501D 时间：2025/5/28 10:17:46 阅读：17

FDZ501D是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等功率电子设备中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。
　　FDZ501D的主要特点是其能够在高频条件下保持高效运行，同时具备较强的电流承载能力，适合于对效率和可靠性要求较高的应用场合。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻：1.2mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　输入电容：1420pF
　　总开关时间：75ns
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃

特性

FDZ501D采用了先进的硅技术设计，拥有以下突出特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
　　2. 高额定电流，支持大负载应用。
　　3. 快速开关性能，减少开关损耗并优化高频下的表现。
　　4. 良好的热稳定性，能够在宽广的工作温度范围内可靠运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且无铅封装。
　　6. 紧凑型封装形式，节省PCB空间，适用于高密度电路设计。

应用

FDZ501D主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
　　2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代。
　　3. 电机驱动电路中的功率开关。
　　4. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中的功率管理模块。
　　5. 工业控制设备中的负载切换功能。
　　6. 电动车和电动工具中的功率调节组件。