类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：27V
　　功率耗散：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOD-523
　　引脚数：2
　　最大齐纳电流：5.8mA
　　动态电阻：10Ω（典型值）
　　反向漏电流：100nA（最大值，@ 25°C）

LBZT52MB27T1G是一款性能优异的齐纳二极管，具备低动态阻抗特性，这有助于在负载变化时保持输出电压的稳定。其快速响应时间使其能够在瞬态条件下提供良好的电压钳位保护。此外，该器件具有良好的温度系数，确保在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压。SOD-523封装设计使其适用于高密度PCB布局，并具备良好的热管理和机械稳定性。ON Semiconductor在该产品中采用了高纯度硅材料和先进的封装技术，确保了器件的长期可靠性和一致性。
　　在电气特性方面，LBZT52MB27T1G的齐纳电压容差为±2%，这使其非常适合作为参考电压源。其低反向漏电流特性在电池供电设备中尤为重要，有助于减少不必要的功耗。此外，该器件的封装设计符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。

LBZT52MB27T1G广泛应用于各种电子设备中，主要用于电压参考、调节和过压保护。常见应用包括电源管理模块、电池充电器、DC-DC转换器和电压监测电路。由于其高精度和稳定性，它也常用于测量仪器和测试设备中的基准电压源。在工业控制系统中，LBZT52MB27T1G可用于保护敏感电路免受电压浪涌的影响。此外，该器件还适用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，在这些设备中对空间和功耗有严格要求。

BZT52-B27, MMSZ5249B