GA1210H103JBAAR31G 是一款高性能的陶瓷多层片式电容器(MLCC),属于高容值、低ESR(等效串联电阻)系列。该型号采用X7R介质材料,具有优良的温度稳定性和可靠性,广泛应用于电源滤波、去耦、信号耦合和能量存储等场景。此电容器适合在高频应用中使用,可有效减少电压波动并提高电路稳定性。
其封装形式为1210尺寸(3.2mm x 2.5mm),支持表面贴装技术(SMT),适用于自动化生产和紧凑型设计需求。GA1210H103JBAAR31G 符合RoHS标准,环保且耐用,是现代电子设备中常见的被动元件之一。
标称容量:10uF
额定电压:6.3V
公差:±10%
直流偏置特性:-20% at 2.0V
工作温度范围:-55°C to +125°C
频率范围:10Hz to 1GHz
封装尺寸:1210
介质材料:X7R
ESR(等效串联电阻):≤10mΩ
GA1210H103JBAAR31G 具备以下显著特性:
1. 高容值与小体积相结合,便于节省PCB空间。
2. X7R介质确保了良好的温度稳定性,在-55°C至+125°C范围内容量变化小于±15%。
3. 超低ESR设计使其非常适合高频应用,能有效抑制噪声干扰。
4. 支持表面贴装工艺,兼容自动化生产设备,提升装配效率。
5. 环保材料构成,符合RoHS标准要求。
6. 可靠性高,长期使用后性能下降极小,适合工业级及消费类电子产品。
GA1210H103JBAAR31G 主要应用于以下领域:
1. 电源管理模块中的滤波与去耦功能。
2. 数字电路中的旁路电容,用于稳定供电电压。
3. RF射频电路中的信号耦合与解耦。
4. 数据通信设备中的储能组件。
5. 工业控制设备中的缓冲电容。
6. 消费电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的高频滤波电路。
GA1210H103KBAAR31G
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CL21A105KC5NNNC