LBZT52C18VT1GSOD-12 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SMT)齐纳二极管(Zener Diode),采用 SOD-123 封装。该器件主要用于电压参考、电压调节以及电路保护应用。齐纳电压为 18V,适合在需要精确电压控制的模拟和数字电路中使用。SOD-123 是一种小型封装,适合空间受限的高密度 PCB 设计。
类型:齐纳二极管
封装:SOD-123
齐纳电压(Vz):18V
齐纳电流(Iz):20mA
最大耗散功率(Pd):300mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
LBZT52C18VT1GSOD-12 具备良好的电压稳定性和温度系数,能够在各种工作条件下提供可靠的电压基准。其 SOD-123 封装不仅节省空间,而且具有良好的热性能,确保在高电流下仍能稳定工作。此外,该器件的响应速度快,适合用于需要快速电压钳位的保护电路。
其齐纳电压容差通常为 ±5%,适用于对电压精度要求较高的场合。器件的低动态阻抗特性有助于减小负载变化对电压稳定性的影响,从而提高电路的整体性能。另外,LBZT52C18VT1GSOD-12 的反向漏电流非常小,在未击穿状态下几乎可以忽略不计,这使其在低功耗设计中表现优异。
该齐纳二极管还具有良好的长期稳定性,适合用于工业控制系统、电源模块、电池管理系统以及各种测试和测量设备。由于其高可靠性和标准化封装,LBZT52C18VT1GSOD-12 广泛应用于汽车电子、消费类电子和通信设备中。
LBZT52C18VT1GSOD-12 主要用于以下应用场景:电压参考源、电源稳压电路、过压保护电路、模拟信号调理、电池管理系统中的电压检测、电压钳位电路、工业自动化控制系统、通信设备中的偏置电压调节等。该器件特别适用于空间受限且需要高精度电压基准的设计。
BZT52C18-13-F, MMSZ5249B-1, 1N4746A, PZM18B, 1SMA5928B