FS31X105K101EPG是一款高性能的场效应晶体管(FET),主要应用于高频开关和功率转换领域。该器件采用了先进的半导体工艺技术,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于工业、通信及消费电子领域的多种应用场景。
FS31X105K101EPG属于增强型N沟道MOSFET,能够支持较高的工作电压和电流,同时具有优异的动态性能,使其在电源管理、电机驱动以及信号放大等电路中表现出色。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:20A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:45nC
总电容:1800pF
工作温度范围:-55℃ to 175℃
封装形式:TO-247
FS31X105K101EPG具有以下主要特性:
1. 高效率:由于其低导通电阻设计,显著降低了传导损耗,提升了整体系统效率。
2. 快速开关能力:较低的栅极电荷和输出电容确保了快速的开关切换时间,减少了开关损耗。
3. 热稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能,适合高温环境下的应用。
4. 高可靠性:经过严格的质量测试,满足多种工业级和汽车级标准要求。
5. 小型化封装:采用标准TO-247封装,既保证散热性能又节省PCB空间。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括AC/DC和DC/DC转换器,用于笔记本电脑适配器、服务器电源等。
2. 电机驱动:用于家用电器中的无刷直流电机控制。
3. 逆变器:光伏逆变器和不间断电源(UPS)中的核心元件。
4. 工业自动化:伺服驱动、机器人控制和其他工业设备中的功率调节模块。
5. 汽车电子:电动车窗、座椅调节、空调压缩机等车载系统的功率控制部分。
FS31X105K101EFG, IRFZ44N, FDP5500