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LBZT52B3V0T1G 发布时间 时间:2025/8/13 21:28:04 查看 阅读:22

LBZT52B3V0T1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装(SMT)齐纳二极管(Zener Diode),其标称齐纳电压为3.0V。该器件适用于各种电压参考和稳压应用,广泛用于消费类电子产品、便携式设备、通信设备以及工业控制系统中。该器件采用SOD-523封装,具有体积小、响应快、功耗低等特点。

参数

类型:齐纳二极管
  齐纳电压:3.0V
  最大齐纳电流:200mA
  最大耗散功率:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOD-523
  安装类型:表面贴装
  极性:单向
  最大反向漏电流:100nA(@ 1V)
  存储温度范围:-55°C 至 150°C

特性

LBZT52B3V0T1G 是一款高性能的低电压齐纳二极管,专为在低压电路中提供精确的电压参考而设计。该器件的齐纳电压精度高,典型值为±2%以内,确保了在精密电路中的稳定性和可靠性。其低动态阻抗特性有助于在负载变化时保持稳定的输出电压,适用于需要高精度电压调节的场合。
  该齐纳二极管具有良好的温度稳定性,能够在-55°C至150°C的宽温度范围内正常工作,适用于各种恶劣环境条件下的应用。其SOD-523封装形式不仅节省空间,还便于在高密度PCB设计中使用,提高了设计灵活性。
  此外,LBZT52B3V0T1G 的低反向漏电流(最大100nA @ 1V)有助于减少电路中的静态功耗,提高了系统的能效。该器件的快速响应时间使其适用于需要快速稳压的场合,例如在电源管理电路、ADC/DAC参考电压源、过压保护电路以及信号调理电路中。
  由于其高可靠性和良好的电气性能,LBZT52B3V0T1G 成为许多电子系统中不可或缺的元件。

应用

LBZT52B3V0T1G 主要用于以下几类应用:
  1. **电压参考源**:在模拟电路中作为精确的电压基准,用于运算放大器、比较器、ADC/DAC等器件的参考电压输入。
  2. **电源管理**:用于低电压稳压电路中,提供稳定的参考电压以确保电源模块的输出电压稳定。
  3. **过压保护**:在电路中作为钳位元件,防止瞬态电压或过压对敏感电路造成损害。
  4. **信号调理**:在信号处理电路中用于限制信号幅度或提供偏置电压。
  5. **消费电子产品**:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,用于电池电压监测、接口电压保护等场景。
  6. **工业控制与通信设备**:用于传感器信号调理、电源监控、通信接口保护等场合。

替代型号

MM3Z3V0T1G, BZT52B-3V0, MMSZ5236B-3.0, ZMM3V0

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