电容值：1200pF
　　容差：±20%
　　额定电压：400V DC
　　介质材料：Class Ⅱ, X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（3.2mm x 2.5mm）
　　温度特性：X7R
　　绝缘电阻：≥10000MΩ·μF
　　最大厚度：2.5mm
　　端电极类型：Ni/Sn镀层
　　老化率：≤2.5% / decade hour

LNC2G122MSEF具备出色的高压耐受能力和稳定的电容性能，在额定电压下仍能保持较高的有效电容利用率，这对于高压信号耦合与直流偏置较大的应用场景至关重要。其X7R类陶瓷介质确保了在宽温度范围内（-55°C至+125°C）电容变化率不超过±15%，显著优于普通Y5V或Z5U材质，从而保证系统工作的稳定性与一致性。
　　该器件具有极低的介质损耗（tanδ ≤ 2.5%），意味着在高频工作条件下能量损耗小，发热量低，有助于提升整体系统效率并延长使用寿命。此外，其高绝缘电阻特性（≥10000MΩ·μF）有效降低了漏电流，适用于高阻抗电路和精密模拟前端设计。
　　LNC2G122MSEF采用全密封多层结构，具备优良的防潮性、抗热冲击性和机械强度，能够承受多次回流焊过程而不损坏，符合RoHS指令及无卤素要求，适用于汽车级和工业级严苛环境。
　　由于使用了镍/锡（Ni/Sn）端电极，该电容具备良好的可焊性与长期焊点可靠性，避免银迁移问题，提升了在高温高湿条件下的耐久性。同时，该型号通过AEC-Q200认证的可能性较高，适合用于车载电子模块如ECU、传感器接口和DC-DC转换器中。
　　值得一提的是，LNC2G122MSEF在高频响应方面表现优异，自谐振频率（SRF）相对较高，能够在数百MHz频段内保持有效的去耦能力，是高速数字系统中局部电源去耦的理想选择之一。

LNC2G122MSEF广泛应用于对可靠性与电气性能要求较高的领域。典型应用包括工业自动化控制系统中的滤波与旁路电路、医疗设备中的信号调理模块、通信基础设施中的射频耦合与匹配网络。由于其400V高耐压特性，也常用于开关电源（SMPS）中的跨接电容、反激变换器的反馈回路以及光电隔离电路的噪声抑制部分。
　　在汽车电子方面，该电容可用于发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电线路的去耦，以及LED照明驱动电路中的高压旁路。其宽温特性和高稳定性使其能在极端气候条件下可靠运行。
　　此外，在测试测量仪器、高端音频设备和航空航天电子系统中，LNC2G122MSEF因其低失真、低漏电和长期稳定性而被优先选用。它还适用于需要高脉冲耐受能力的放电电路或定时电路中，作为储能或时间常数设定元件。

GRM31MR71H122KA01L
　　CL21B122KBANNNC
　　C2012X7R1H122K