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BSC030N08NS5 发布时间 时间:2025/6/3 9:29:54 查看 阅读:3

BSC030N08NS5是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用SMD封装形式,具体为TO-Leadless(TOLL)封装,适合表面贴装应用。BSC030N08NS5具有低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,适用于需要高效能的开关电源、电机驱动和负载开关等应用。其额定电压为80V,连续漏极电流可达30A,工作温度范围广泛,能够在严苛环境下稳定运行。

参数

最大漏源电压:80V
  最大连续漏极电流:30A
  导通电阻(Rds(on)):2.6mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:47nC(典型值)
  反向恢复时间:11ns(典型值)
  结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-Leadless(TOLL)

特性

BSC030N08NS5具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高雪崩能力和鲁棒性,确保在异常条件下也能可靠运行。
  3. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  4. 小型化封装设计,节省PCB空间,支持高密度布局。
  5. 宽广的工作温度范围,适应各种工业和汽车场景。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规要求。

应用

BSC030N08NS5适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机驱动电路,包括直流无刷电机(BLDC)控制。
  3. 工业自动化设备中的负载开关。
  4. 汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、空调压缩机等。
  5. 充电器及适配器中的功率级组件。
  6. LED驱动器和D类音频放大器等高效能转换场景。

替代型号

BSC030N08NS3,
  BSC030N08NS4,
  IPW30N08N4,
  IPP030N08N4,
  IRLB8748PBF

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