时间：2025/8/13 1:52:59
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LBTP4160R3T1G是一款由ON Semiconductor生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率管理的场合，例如电池供电设备、电源开关和负载切换。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高可靠性以及优异的热稳定性，适用于便携式电子产品、消费类电子设备和工业控制系统。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4.1A（@VGS= -4.5V）
导通电阻（RDS(on)）：36mΩ（@VGS= -4.5V），56mΩ（@VGS= -2.5V）
功率耗散：2.0W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSOP-6
安装类型：表面贴装
LBTP4160R3T1G具有多项优异特性，确保其在各种应用中稳定可靠地运行。首先，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，其P沟道结构设计使其适用于高边开关应用，例如负载开关和电池管理系统。此外，该器件支持-4.1A的连续漏极电流，能够在中等功率应用中提供足够的电流容量。其封装形式为TSOP-6，体积小巧，适合高密度PCB布局。该MOSFET还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定性能。最后，其栅极驱动电压范围宽（±12V），可兼容多种控制电路设计。
LBTP4160R3T1G主要用于需要高效功率控制的场合，例如便携式电子设备中的电源管理、电池保护电路、DC-DC转换器、负载开关、电源多路复用器以及电机控制电路。此外，它也可用于工业自动化设备、通信模块、智能电表、消费类电子产品以及汽车电子系统中的电源开关应用。
Si4435BDY-E3-GE3, IRML6401TRPBF, FDC640P, FDMS3618
