时间：2025/8/28 17:35:20
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IPS70R900P7S 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET器件，属于CoolMOS?系列。该器件采用先进的超结（Super Junction）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换应用。IPS70R900P7S的额定电压为700V，适合用于工业电源、服务器电源、电信电源、太阳能逆变器以及高功率适配器等场合。该MOSFET采用PG-TO263-7封装形式，具备良好的热管理和可靠性。
型号：IPS70R900P7S
类型：功率MOSFET
工艺：CoolMOS?
漏源电压（Vds）：700V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：14A（在Tc=100℃）
导通电阻（Rds(on)）：900mΩ（最大值）
功耗（Ptot）：125W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：PG-TO263-7
封装形式：表面贴装（SMD）
IPS70R900P7S具备多项先进的性能特性，首先是其采用的CoolMOS?超结技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体能效。其导通电阻Rds(on)最大仅为900mΩ，在同类产品中表现出色，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
此外，该器件具有高耐压特性，漏源电压可达700V，适用于多种高电压应用场景。栅极驱动电压范围宽，支持±30V的栅源电压，增强了其在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。
IPS70R900P7S的封装设计优化了热管理性能，PG-TO263-7封装形式具备良好的散热能力，能够在高功率密度条件下保持较低的工作温度，从而延长器件寿命并提升系统稳定性。
IPS70R900P7S广泛应用于各种高功率和高效率的电源系统中，例如工业电源、服务器电源模块、电信整流器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及高功率AC/DC和DC/DC转换器等。
IPP70R900P7S, IPW70R900P7S, SPD11N90C3, STF9NM65FD
