LBTN560Y3T1G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效能功率晶体管,专为高频、高功率应用设计。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 技术制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。
这款芯片的主要特点是其优异的热性能和电气性能,能够显著提高系统效率并减小整体解决方案尺寸。
型号:LBTN560Y3T1G
类型:增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压(Vds):600V
最大连续漏极电流(Id):30A
栅极电荷(Qg):90nC
导通电阻(Rds(on)):45mΩ
工作结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
功耗:200W
LBTN560Y3T1G 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 高击穿电压 Vds 和大电流处理能力 Id,使其适用于高压、高功率应用场景。
3. 快速开关速度,支持 MHz 级别的开关频率操作,可显著降低开关损耗。
4. 采用 TO-247-3 封装,具备良好的散热性能,便于系统集成。
5. 支持宽温度范围运行,适应恶劣环境条件下的使用需求。
6. 内置反向恢复电荷较低的体二极管,减少额外组件需求。
LBTN560Y3T1G 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):如服务器电源、工业电源等。
2. DC-DC 转换器:特别是在高效率要求的电动汽车充电模块中。
3. 电机驱动:用于高性能电机控制,提供更快的动态响应。
4. 太阳能逆变器:在光伏能源转换系统中实现更高效率的能量传输。
5. UPS 不间断电源:确保系统的可靠性和高效性。
6. 固态继电器:利用其快速开关特性,满足高速切换需求。
LGBTN560Y3T1G, LBTN560Y3T2G