时间：2025/5/29 9:56:54
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LBTN560Y3T1G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效能功率晶体管，专为高频、高功率应用设计。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 技术制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。
这款芯片的主要特点是其优异的热性能和电气性能，能够显著提高系统效率并减小整体解决方案尺寸。
型号：LBTN560Y3T1G
类型：增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
最大漏源电压（Vds）：600V
最大连续漏极电流（Id）：30A
栅极电荷（Qg）：90nC
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
功耗：200W
LBTN560Y3T1G 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高击穿电压 Vds 和大电流处理能力 Id，使其适用于高压、高功率应用场景。
3. 快速开关速度，支持 MHz 级别的开关频率操作，可显著降低开关损耗。
4. 采用 TO-247-3 封装，具备良好的散热性能，便于系统集成。
5. 支持宽温度范围运行，适应恶劣环境条件下的使用需求。
6. 内置反向恢复电荷较低的体二极管，减少额外组件需求。
LBTN560Y3T1G 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如服务器电源、工业电源等。
2. DC-DC 转换器：特别是在高效率要求的电动汽车充电模块中。
3. 电机驱动：用于高性能电机控制，提供更快的动态响应。
4. 太阳能逆变器：在光伏能源转换系统中实现更高效率的能量传输。
5. UPS 不间断电源：确保系统的可靠性和高效性。
6. 固态继电器：利用其快速开关特性，满足高速切换需求。
LGBTN560Y3T1G, LBTN560Y3T2G
