LBSS84DW1T1G 时间：2025/8/14 2:27:54 阅读：24

LBSS84DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于电源管理和负载开关应用。这款器件采用了先进的 TrenchFET 技术，提供了低导通电阻和高功率效率。LBSS84DW1T1G 采用小型化的封装形式，适用于空间受限的应用，如便携式电子设备和电池供电系统。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：最大 6A
　　漏极-源极电压（Vds）：最大 30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：最大 ±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：在 Vgs = 10V 时典型值为 0.028Ω，在 Vgs = 4.5V 时典型值为 0.045Ω
　　功率耗散（Pd）：最大 2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

LBSS84DW1T1G 具有多个关键特性，使其适用于多种功率管理应用。
　　首先，该 MOSFET 的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。这对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长电池寿命。
　　其次，该器件采用了先进的 TrenchFET 技术，这种技术在保持高性能的同时实现了小型化设计，使得 LBSS84DW1T1G 可以应用于紧凑的 PCB 设计中。
　　第三，该 MOSFET 支持较高的栅极-源极电压（±20V），提供了更好的栅极驱动兼容性，并增强了抗噪声干扰能力。
　　此外，LBSS84DW1T1G 的额定漏极电流为 6A，漏极-源极电压为 30V，使其能够承受中等功率应用中的电流和电压应力。这种性能水平使其适用于负载开关、DC-DC 转换器和电机控制等应用。
　　最后，该器件的封装形式为 SOT-223，这种封装不仅节省空间，还具有良好的热性能，有助于快速散热，从而提高器件的可靠性和使用寿命。

应用

LBSS84DW1T1G 主要应用于需要高效功率管理的电子产品中。它常用于负载开关电路中，控制电源的开启和关闭，从而减少待机功耗并提高系统效率。此外，该器件也广泛用于 DC-DC 转换器和同步整流器中，以提高电源转换效率。在电池管理系统中，LBSS84DW1T1G 可用作电池保护开关，防止过电流和短路对电池造成损害。它还适用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源管理模块，以及电机控制和继电器驱动电路中。