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GS2GF T/R 发布时间 时间:2025/8/15 3:03:17 查看 阅读:16

GS2GF T/R 是由STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款射频(RF)功率晶体管,属于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术器件。该器件专为高功率、高频应用设计,常用于无线通信基础设施、广播系统以及工业应用中的射频放大器。GS2GF T/R 的工作频率范围较宽,能够提供较高的输出功率和良好的线性度,适用于多种射频功率放大需求。

参数

类型:射频功率晶体管(LDMOS)
  工作频率范围:1.8 GHz - 2.7 GHz
  输出功率:典型值为250 W(连续波)
  漏极电压(Vds):最大值为65 V
  栅极电压(Vgs):工作范围为-5 V至+15 V
  漏极电流(Id):最大值为1.5 A(脉冲)
  增益:典型值为20 dB
  效率:典型值为40%
  封装类型:陶瓷金属封装(Ceramic Metal Package)
  工作温度范围:-65°C至+150°C

特性

GS2GF T/R 具有多种优异的电气和热性能,适合高功率射频应用。首先,它采用了先进的LDMOS技术,能够在高频下提供高增益和高效率。LDMOS晶体管的线性度较好,适用于需要高信号保真度的通信系统。其次,该器件的宽频率范围(1.8 GHz - 2.7 GHz)使其能够用于多种无线通信标准,如GSM、CDMA、WCDMA、LTE等。
  GS2GF T/R 的高输出功率能力(可达250 W)使其成为基站功率放大器、广播发射机和工业加热设备的理想选择。其陶瓷金属封装不仅提供了良好的散热性能,还能承受较高的热应力,提高了器件的可靠性和寿命。
  此外,该晶体管具有良好的输入/输出匹配特性,简化了外围电路的设计,并减少了对外部匹配网络的依赖。其高效率特性有助于降低功耗和散热需求,从而提高系统的整体能效。在工作温度范围内(-65°C至+150°C),GS2GF T/R 能够在极端环境条件下保持稳定性能,适用于户外和工业级应用。

应用

GS2GF T/R 主要用于各种射频功率放大系统。其典型应用包括蜂窝通信基站的功率放大器,如GSM、CDMA、WCDMA和LTE系统中的射频前端模块。此外,该器件也适用于广播系统,如FM和TV发射机,用于提高信号的发射功率。
  在工业领域,GS2GF T/R 可用于射频能量应用,如等离子体发生器、射频加热设备和医疗射频治疗设备。由于其高效率和高功率特性,它也可以用于测试设备和实验室仪器中的射频信号放大。
  此外,该晶体管适用于军事和航空航天领域,用于雷达系统、通信中继设备和电子战系统中的射频功率放大。其宽频带特性使其可以适应多种频率配置,提高了系统的灵活性和可扩展性。

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