HY62CT081ED70C 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高性能CMOS技术制造,具有高速访问时间和低功耗的特点,广泛应用于通信设备、工业控制系统、计算机外围设备以及需要快速数据存储和访问的嵌入式系统中。HY62CT081ED70C 采用512K x 8位的组织结构,提供8Mbit的存储容量,适合对性能和稳定性有较高要求的应用场景。
类型:静态随机存取存储器(SRAM)
容量:8 Mbit (512K x 8)
电源电压:3.3V
访问时间:70ns
封装类型:TSOP
工作温度:商业级(0°C 至 +70°C)
引脚数:54
读取电流:最大120mA
待机电流:最大10mA
HY62CT081ED70C SRAM芯片采用了先进的CMOS工艺,提供了高速和低功耗的性能表现。其70ns的访问时间确保了数据的快速读写,适用于对响应速度有较高要求的应用环境。该芯片的3.3V电源供电设计,不仅降低了功耗,还提高了与现代数字系统的兼容性。
在封装方面,该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)形式,具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适合在空间受限的高密度电路板设计中使用。此外,HY62CT081ED70C支持商业级工作温度范围(0°C至+70°C),确保了其在大多数常规工作环境下的稳定运行。
这款SRAM芯片具备高可靠性和稳定性,适用于多种工业和通信应用,如网络路由器、交换机、打印机缓存、图像处理设备等。其低待机电流设计也使得它适用于需要节能的系统中,有助于延长设备的使用寿命和降低整体能耗。
HY62CT081ED70C 主要用于需要高速数据存取和稳定性能的电子系统中。典型应用包括但不限于:网络通信设备(如路由器和交换机)、工业控制模块、数据采集系统、嵌入式系统、打印机和扫描仪缓存、医疗设备以及测试仪器等。由于其高速访问时间和低功耗特性,HY62CT081ED70C 也被广泛用于手持设备和便携式电子产品中,以满足对性能和能效的双重需求。
CY62148EDE-70PFXC, IS62C25128ALBTA70Z, IDT71V416SA70PFG, A62C25128A-70PIT