LBSS138W 时间：2025/8/13 7:50:42 阅读：7

LBSS138W 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的高频、小信号MOS场效应晶体管（MOSFET），主要用于射频（RF）和高速开关应用。该器件采用先进的高频MOS技术制造，具有优异的高频性能和低导通电阻特性。LBSS138W 通常用于需要快速切换和低功耗的电子系统中，如开关电源、电机控制、LED照明和音频放大器等。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100mA
　　最大漏源电压（VDS）：50V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（小型表面贴装封装）
　　最大功耗：300mW
　　输入电容（Ciss）：9pF（典型值）
　　转换频率（fT）：250MHz（典型值）

特性

LBSS138W 具有多个关键特性，使其适用于多种高频和低功耗应用。首先，该MOSFET具有极低的输入电容（Ciss），使其在高频电路中表现出色，适用于射频开关和高频信号处理。其次，LBSS138W 的导通电阻较低，通常在5Ω左右，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速的开关速度，能够在高速电路中稳定运行，适用于需要快速响应的控制系统。由于其采用SOT-23封装，体积小巧，适合在空间受限的PCB布局中使用。
　　该器件的工作温度范围宽，能够在-55°C至+150°C之间稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。同时，其栅极驱动电压范围较宽，允许使用标准逻辑电平（如3.3V或5V）进行控制，增强了与其他电路的兼容性。LBSS138W 还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在长时间运行下保持性能稳定。

应用

LBSS138W 主要用于高频开关电路、小型功率控制电路和低功耗模拟开关应用。例如，在无线通信设备中，它可用于射频信号的切换和控制；在数字电路中，可用作高速逻辑开关；在传感器接口电路中，作为低功耗开关元件使用。此外，该MOSFET也可用于驱动小型继电器、LED和小型电机等负载。由于其低功耗特性和紧凑封装，LBSS138W 常见于便携式电子产品、工业自动化控制系统和汽车电子模块中。