时间：2025/4/29 10:29:02
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DMN52D0UV是来自Diodes Incorporated的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用超小型DFN3030-10封装，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。其设计优化了导通电阻和栅极电荷特性，能够在高频开关条件下提供卓越的性能。
DMN52D0UV主要针对消费电子、通信设备以及便携式电子产品等应用领域。凭借其紧凑的封装和优异的电气性能，这款MOSFET非常适合用于负载开关、DC-DC转换器、同步整流以及其他功率管理电路中。
最大漏源电压(VDS)：60V
连续漏极电流(ID)：3.7A
导通电阻(RDS(on))：80mΩ（在VGS=4.5V时）
栅极电荷(Qg)：10nC
工作结温范围(TJ)：-55℃至+150℃
封装类型：DFN3030-10
DMN52D0UV具有非常低的导通电阻RDS(on)，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
其小尺寸DFN3030-10封装非常适合空间受限的设计，并且能够支持较高的功率密度。
此外，该器件具备快速开关能力，得益于较低的栅极电荷Qg，可以显著降低开关损耗。
它还拥有出色的热稳定性和可靠性，能够承受恶劣的工作环境。
DMN52D0UV符合RoHS标准，确保环保合规性。
DMN52D0UV广泛应用于各种电源管理和功率转换场景，例如：
1. 消费类电子产品的负载开关控制
2. 移动设备中的高效DC-DC转换器
3. 同步整流电路
4. LED驱动器
5. 电池供电设备中的功率调节
6. 便携式医疗设备及物联网(IoT)节点中的电源管理单元(PMU)
由于其高效率和紧凑型设计，该器件成为众多便携式和节能型应用的理想选择。
DMN5020UF
DMN52D0UHE
DMN52D0S
BSS138
