晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：40V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
　　最大频率（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23

LBSS123LT/G 晶体管具有多种显著特性，适用于多种电子电路设计。首先，其 NPN 结构提供了良好的电流放大能力，hFE 值在 110 到 800 之间，具体取决于工作电流的大小，使其在小信号放大和开关应用中表现出色。
　　其次，该晶体管的最大集电极-发射极电压为 40V，能够承受较高的电压应力，适用于电源控制和中等功率应用。最大集电极电流为 100mA，虽然不适用于高功率设计，但在中低功率电路中表现优异。
　　此外，LBSS123LT/G 的过渡频率（fT）达到 100MHz，表明其在高频电路中具有良好的响应特性，适用于射频（RF）和高速数字电路中的信号处理。
　　该器件采用 SOT-23 小型封装，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。SOT-23 封装也具有良好的热性能，能够在较高温度环境下稳定工作。
　　LBSS123LT/G 还具有较低的饱和压降（Vce_sat），这意味着在导通状态下功耗较低，提高了整体电路的效率。这种特性使其非常适合用于电池供电设备和需要节能设计的系统。
　　最后，该晶体管的制造工艺符合 RoHS 标准，符合现代电子产品的环保要求。

LBSS123LT/G 晶体管因其优良的电气性能和可靠性，被广泛应用于多个领域。在数字电路中，该晶体管常用于构建逻辑门、触发器以及缓冲器等基本电路模块。由于其快速开关特性和低饱和压降，LBSS123LT/G 在开关电源、DC-DC 转换器和 LED 驱动电路中也得到了广泛应用。
　　在模拟电路中，LBSS123LT/G 可用于构建放大器、振荡器和稳压电路。其高增益特性使其成为音频放大器和信号调理电路的理想选择。此外，该晶体管在传感器接口电路中也有重要作用，能够将微弱的传感器信号放大到适合处理的水平。
　　在工业控制和自动化系统中，LBSS123LT/G 可用于驱动继电器、电机和执行器等负载。其高电压耐受能力和良好的热稳定性使其能够在较为严苛的工业环境中稳定工作。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，LBSS123LT/G 凭借其小型化封装和低功耗特性，常用于电源管理和信号处理电路中。

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A