HMK105B7103MVHFE 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高频开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,能够提供高效率和低损耗的性能表现,广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类工业电子设备中。
这款器件具有优异的导通电阻特性,能够在高温环境下保持稳定的性能,同时具备快速开关能力和较低的栅极电荷,从而优化了系统的整体能效。
类型:MOSFET
封装:TO-263
Vds(漏源电压):650V
Rds(on)(导通电阻):0.7Ω
Id(连续漏电流):10A
Qg(总栅极电荷):35nC
fsw(最大工作频率):100kHz
Tj(结温范围):-55℃ to 150℃
HMK105B7103MVHFE 的主要特性包括:
1. 高击穿电压(650V),确保在高压环境下的可靠性。
2. 极低的导通电阻(0.7Ω),可显著降低传导损耗。
3. 快速开关速度,支持高达 100kHz 的工作频率。
4. 内置反向恢复二极管,减少开关噪声并提升系统稳定性。
5. 热性能优越,在高温条件下仍能保持高效运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合多种应用场景。
该芯片适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. 工业电机驱动及逆变器控制。
3. LED 照明驱动电路。
4. 充电器与适配器设计。
5. 各类需要高频开关特性的电力电子设备。
HMK105B7103MVHFE 凭借其高效的功率处理能力,成为这些领域的理想选择。
HMK105B7103MVFHE, IRF840, FQP17N65