晶体管类型：NPN型BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

LBC857AWT1G 具有多种优良的电气特性，使其在多种应用场景中表现出色。
　　首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为30V，能够支持较高的电压应用，同时最大集电极电流为100mA，适合中等功率的开关和放大电路设计。
　　其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的档位（例如hFE分为多个等级），其增益可以在110到800之间变化，提供更高的设计灵活性，确保电路的稳定性和性能。
　　此外，LBC857AWT1G 的封装为SOT-23，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。这种封装还具有良好的热性能，有助于晶体管在较高工作温度下稳定运行，其工作温度范围从-55°C到+150°C，适应各种严苛的环境条件。
　　值得一提的是，该晶体管的最大功耗为300mW，具有较低的功耗特性，有助于提高电路的能效，减少热量产生，延长设备的使用寿命。
　　最后，LBC857AWT1G 的制造工艺符合工业标准，具有较高的可靠性和稳定性，广泛应用于工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统中，是一款性价比高且值得信赖的晶体管元件。

LBC857AWT1G 由于其优良的电气特性和紧凑的封装形式，广泛应用于多个电子领域。
　　在工业控制方面，该晶体管常用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动、传感器信号放大等电路中，作为开关元件或信号处理单元，确保系统的稳定运行。
　　在消费类电子产品中，LBC857AWT1G 常见于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备和家用电器中，用于逻辑电路、LED驱动、电源管理等功能模块，支持设备的小型化和高效能设计。
　　在汽车电子系统中，LBC857AWT1G 被用于车载控制模块、车灯驱动、车载传感器接口等应用，其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车环境的严苛要求。
　　此外，该晶体管还适用于通信设备、测试仪器和自动化控制系统，作为基础电子元件支撑各种复杂功能的实现。
　　由于其广泛的应用场景和稳定的性能表现，LBC857AWT1G 成为电子工程师在电路设计中常用的晶体管之一。

BC847系列、MMBT3904、2N3904、PN2222A