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GA1210Y564KXXAT31G 发布时间 时间:2025/5/27 8:47:16 查看 阅读:12

GA1210Y564KXXAT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,适用于开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高开关速度之间实现了良好的平衡,从而有效降低功耗并提升系统效率。
  这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263(DPAK),具有出色的散热性能,使其能够承受较大的电流负载,并在高温环境下保持稳定工作。

参数

型号:GA1210Y564KXXAT31G
  类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  Vds(漏源电压):120V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):56mΩ
  Id(连续漏极电流):31A
  Vgs(th)(栅极开启电压):2.5V
  Qg(总栅极电荷):7nC
  EAS(雪崩能量):8.5J
  封装:TO-263(DPAK)

特性

GA1210Y564KXXAT31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 快速开关性能,有助于降低开关损耗,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
  4. 较低的栅极电荷(Qg),减少了驱动功耗,提升了系统的动态性能。
  5. TO-263 封装提供了优良的热性能,支持更高的功率密度和稳定性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品的设计需求。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC 转换器中用于高效的功率传输。
  3. 电机驱动电路,提供稳定的电流输出以控制电机运行。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 通信电源和其他需要高效率和可靠性的应用场景。

替代型号

GA1210Y564KXXBT31G, IRFZ44N, FDP5500

GA1210Y564KXXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.56 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-