GA1210Y564KXXAT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,适用于开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,在低导通电阻和高开关速度之间实现了良好的平衡,从而有效降低功耗并提升系统效率。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263(DPAK),具有出色的散热性能,使其能够承受较大的电流负载,并在高温环境下保持稳定工作。
型号:GA1210Y564KXXAT31G
类型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Vds(漏源电压):120V
Rds(on)(导通电阻,典型值):56mΩ
Id(连续漏极电流):31A
Vgs(th)(栅极开启电压):2.5V
Qg(总栅极电荷):7nC
EAS(雪崩能量):8.5J
封装:TO-263(DPAK)
GA1210Y564KXXAT31G 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著减少导通损耗,提高整体效率。
2. 快速开关性能,有助于降低开关损耗,适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
4. 较低的栅极电荷(Qg),减少了驱动功耗,提升了系统的动态性能。
5. TO-263 封装提供了优良的热性能,支持更高的功率密度和稳定性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品的设计需求。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中用于高效的功率传输。
3. 电机驱动电路,提供稳定的电流输出以控制电机运行。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 通信电源和其他需要高效率和可靠性的应用场景。
GA1210Y564KXXBT31G, IRFZ44N, FDP5500