时间：2025/5/27 8:47:16
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GA1210Y564KXXAT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，适用于开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和高开关速度之间实现了良好的平衡，从而有效降低功耗并提升系统效率。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263（DPAK），具有出色的散热性能，使其能够承受较大的电流负载，并在高温环境下保持稳定工作。
型号：GA1210Y564KXXAT31G
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Vds（漏源电压）：120V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：56mΩ
Id（连续漏极电流）：31A
Vgs(th)（栅极开启电压）：2.5V
Qg（总栅极电荷）：7nC
EAS（雪崩能量）：8.5J
封装：TO-263（DPAK）
GA1210Y564KXXAT31G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关性能，有助于降低开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
4. 较低的栅极电荷（Qg），减少了驱动功耗，提升了系统的动态性能。
5. TO-263 封装提供了优良的热性能，支持更高的功率密度和稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的设计需求。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中用于高效的功率传输。
3. 电机驱动电路，提供稳定的电流输出以控制电机运行。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 通信电源和其他需要高效率和可靠性的应用场景。
GA1210Y564KXXBT31G, IRFZ44N, FDP5500
