LBC847BDW1T1G 时间：2025/4/27 9:07:42 阅读：3

LBC847BDW1T1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，属于宽带隙半导体器件。该型号采用增强型 GaN HEMT 结构，具备高开关速度、低导通电阻和高击穿电压的特点，适用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器、服务器电源、通信设备电源及新能源相关应用等场景。
　　此器件通过优化的封装设计提升了散热性能，并支持表面贴装技术 (SMT)，便于大规模自动化生产。

参数

类型：功率晶体管
　　材料：氮化镓 (GaN)
　　最大漏源电压 (Vds)：650 V
　　连续漏极电流 (Id)：12 A
　　导通电阻 (Rds(on))：40 mΩ
　　栅极电荷 (Qg)：45 nC
　　反向恢复电荷 (Qrr)：无（零反向恢复）
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

特性

LBC847BDW1T1G 具备以下主要特性：
　　1. 高效率：得益于 GaN 的优异材料属性，能够显著降低开关损耗和导通损耗，从而提升系统整体效率。
　　2. 快速开关：相比传统硅基 MOSFET，GaN 器件具有更快的开关速度，支持更高的工作频率。
　　3. 紧凑设计：更低的寄生参数使设计更紧凑，同时减少外围元件数量。
　　4. 零反向恢复电荷：消除了因体二极管反向恢复引起的额外损耗。
　　5. 强壮的热性能：先进的封装技术和低热阻确保了器件在高温环境下的可靠性。

应用

LBC847BDW1T1G 广泛应用于以下领域：
　　1. 服务器和电信设备中的高效电源转换模块。
　　2. 工业级 DC-DC 转换器，如电动汽车充电站或可再生能源系统。
　　3. 高频 AC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
　　4. 消费类快充适配器，提供小尺寸和高功率密度解决方案。
　　5. 其他需要高性能功率管理的场合，例如无线充电设备、激光驱动器等。