时间：2025/5/8 13:54:34
阅读：26
DAN202KT146 是一款高性能的 N 沯道功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-252 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其出色的热性能和耐用性使其成为工业及汽车电子领域的理想选择。
这款 MOSFET 的设计优化了开关损耗和导通损耗之间的平衡，非常适合用于 DC-DC 转换器、逆变器、LED 驱动器以及负载开关等电路中。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：20A
导通电阻（典型值）：1.7mΩ
栅极电荷（典型值）：38nC
总耗散功率（Tc=25℃）：92W
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-252
DAN202KT146 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，降低开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能量耐受能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
5. 优秀的热性能，能够有效管理器件温度，延长使用寿命。
6. 提供稳健的电气保护功能，包括过流和短路保护。
DAN202KT146 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. 工业电机驱动和控制。
3. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
4. LED 照明系统的恒流驱动。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. 各种 DC-DC 转换器和逆变器设计。
由于其高效率和可靠性，该器件特别适合对能耗敏感的应用场景。
DMP2002NQ, IRFZ44N, FDP017N06L
