DAN202KT146 是一款高性能的 N 沯道功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-252 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种功率转换和电机驱动应用。其出色的热性能和耐用性使其成为工业及汽车电子领域的理想选择。
这款 MOSFET 的设计优化了开关损耗和导通损耗之间的平衡,非常适合用于 DC-DC 转换器、逆变器、LED 驱动器以及负载开关等电路中。
最大漏源电压:60V
最大连续漏电流:20A
导通电阻(典型值):1.7mΩ
栅极电荷(典型值):38nC
总耗散功率(Tc=25℃):92W
工作结温范围:-55℃ 至 150℃
封装形式:TO-252
DAN202KT146 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力,降低开关损耗,适合高频应用。
3. 高雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
5. 优秀的热性能,能够有效管理器件温度,延长使用寿命。
6. 提供稳健的电气保护功能,包括过流和短路保护。
DAN202KT146 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 工业电机驱动和控制。
3. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
4. LED 照明系统的恒流驱动。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
6. 各种 DC-DC 转换器和逆变器设计。
由于其高效率和可靠性,该器件特别适合对能耗敏感的应用场景。
DMP2002NQ, IRFZ44N, FDP017N06L