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DAN202KT146 发布时间 时间:2025/5/8 13:54:34 查看 阅读:20

DAN202KT146 是一款高性能的 N 沯道功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-252 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种功率转换和电机驱动应用。其出色的热性能和耐用性使其成为工业及汽车电子领域的理想选择。
  这款 MOSFET 的设计优化了开关损耗和导通损耗之间的平衡,非常适合用于 DC-DC 转换器、逆变器、LED 驱动器以及负载开关等电路中。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏电流:20A
  导通电阻(典型值):1.7mΩ
  栅极电荷(典型值):38nC
  总耗散功率(Tc=25℃):92W
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃
  封装形式:TO-252

特性

DAN202KT146 具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,降低开关损耗,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  4. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  5. 优秀的热性能,能够有效管理器件温度,延长使用寿命。
  6. 提供稳健的电气保护功能,包括过流和短路保护。

应用

DAN202KT146 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. 工业电机驱动和控制。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
  4. LED 照明系统的恒流驱动。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  6. 各种 DC-DC 转换器和逆变器设计。
  由于其高效率和可靠性,该器件特别适合对能耗敏感的应用场景。

替代型号

DMP2002NQ, IRFZ44N, FDP017N06L

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DAN202KT146参数

  • 产品培训模块Diodes Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 70V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)100mA
  • 电压 - (Vr)(最大)80V
  • 反向恢复时间(trr)4ns
  • 二极管类型标准
  • 速度小信号 =
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SMD3
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称DAN202KT146DKR