时间：2025/5/13 8:46:54
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IRF520S是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合中低频功率转换应用。
IRF520S继承了IRF520系列的优点，但可能在某些电气参数上有所优化或改进以满足特定需求。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：9.2A
导通电阻（Rds(on)）：0.4Ω（典型值，在Vgs=10V时）
功耗：83W
工作温度范围：-65°C至+150°C
封装形式：TO-220
IRF520S具备以下主要特性：
1. 高击穿电压，能够承受高达100V的漏源电压。
2. 较低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高效率。
3. 快速开关速度，适用于中低频功率应用。
4. 内置保护二极管，有效防止反向电流对电路的损害。
5. 稳定的热性能，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
6. 具备良好的雪崩能力，可应对瞬态过压情况。
7. TO-220封装设计，便于散热和安装。
IRF520S的主要应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动控制，例如直流无刷电机或步进电机。
3. 逆变器和不间断电源（UPS）系统。
4. 各种电子负载和功率转换电路。
5. 调光调速控制器，如LED灯调光或风扇调速。
6. 继电器替代方案，用于需要快速切换的应用环境。
7. 电池管理系统中的充放电保护电路。
IRF520N, IRF520BPBF, STP16NF10
