类型：NPN双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（根据等级不同）

LBC847AN3T5G具有多项优异的电气和物理特性，适用于多种通用电子电路设计。其主要特性包括：
　　1. 高频响应：晶体管的增益带宽积（fT）可达100MHz，适合用于中高频放大电路。
　　2. 低饱和压降：在导通状态下，晶体管的Vce(sat)较低，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
　　3. 高可靠性：采用先进的硅外延工艺制造，确保器件在恶劣环境下也能稳定工作。
　　4. 宽温度范围：支持-55°C至150°C的工作温度范围，适用于各种工业和汽车应用。
　　5. 多级增益选择：根据不同的hFE等级（例如hFE等级为O、Y、GR、BL等），用户可以根据设计需求选择合适的晶体管，提升电路的灵活性。
　　6. 环保封装：符合RoHS标准，采用无铅封装工艺，符合现代电子产品的环保要求。

LBC847AN3T5G广泛应用于以下领域：
　　1. 数字开关电路：作为低电压开关使用，适用于逻辑控制电路、继电器驱动、LED控制等。
　　2. 放大电路：用于音频放大器、传感器信号放大器等低频放大电路。
　　3. 电源管理：在DC-DC转换器、稳压电路、负载开关等电源相关设计中用作控制元件。
　　4. 工业自动化：用于工业控制系统中的信号调理、接口驱动和继电器控制等。
　　5. 通信设备：在无线通信模块、数据采集系统中用于信号处理和驱动。
　　6. 消费电子产品：如智能家电、遥控器、手持设备等，用于基本的电子控制和信号处理。

BC847N, 2N3904, MMBT3904, PN2222A