时间：2025/4/30 11:34:44
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LBC846BPDW1T1G 是一款高性能的功率晶体管，主要用于电源管理和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效能和低功耗的应用场景，广泛用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：57A
导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ（典型值，在 Vgs=10V 条件下）
总栅极电荷(Qg)：93nC
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
LBC846BPDW1T1G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高开关速度设计，能够支持高频开关应用，减少电磁干扰 (EMI) 和热损耗。
3. 内置静电保护功能，提高了器件在实际应用中的鲁棒性。
4. 大电流承载能力，适合要求高负载的应用场景。
5. 耐热性能优异，能在较宽的工作温度范围内稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这款功率晶体管可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 直流无刷电机驱动器中的功率级元件。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
5. LED 照明驱动电路中的功率开关。
6. 各类工业逆变器和 UPS 系统中的核心功率元件。
LBC846BPDW1T1GA, LBC846BPDW1T1GB
