LBC807-25LT1 是一款双极性晶体管(NPN型)阵列,专为高频率和高增益应用设计。该器件由两对互补的NPN晶体管组成,适用于需要高性能和稳定性的电子电路。LBC807-25LT1 采用SOT-23-6封装,具有体积小、功耗低、响应速度快等优点,广泛应用于模拟电路、射频电路、信号处理等领域。
晶体管类型:NPN
配置:双晶体管阵列(4个独立晶体管)
最大集电极-基极电压(VCB):30V
最大集电极-发射极电压(VCE):30V
最大发射极-基极电压(VEB):5V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗:300mW
最大工作温度:150°C
存储温度范围:-65°C 至 150°C
电流增益带宽(fT):250MHz
电流增益(hFE):110-800(根据电流等级不同)
LBC807-25LT1 具备多个关键特性,使其在多种电路设计中表现出色。首先,该晶体管阵列的高频率响应能力(fT高达250MHz)非常适合用于射频放大和高速开关应用。其次,其hFE范围较宽(110-800),允许在不同电流条件下保持良好的增益稳定性,从而适应各种放大需求。此外,该器件采用SOT-23-6封装,具有良好的热稳定性和较小的寄生电容,有助于提升高频性能。LBC807-25LT1 还具备低噪声系数,适用于前置放大器等对噪声敏感的应用场景。其四个独立晶体管可配置为差分对、达林顿对或独立使用,提高了电路设计的灵活性。
另一个显著优势是该器件的高可靠性。LBC807-25LT1 在制造过程中采用了先进的硅外延工艺,确保了良好的一致性与稳定性,并能在较宽的温度范围内正常工作。同时,该晶体管的低饱和电压(VCE(sat))减少了功率损耗,提高了能效。这些特性使得LBC807-25LT1在通信设备、音频放大器、传感器接口电路、工业控制等领域中表现出色。
LBC807-25LT1 主要应用于需要高增益、高频率响应和稳定性的电子系统中。常见的应用包括射频放大器、前置放大器、音频放大电路、达林顿对配置中的高增益级、传感器信号调理电路、工业自动化设备中的信号处理模块、高速开关电路以及低噪声放大器等。由于其四个独立晶体管的设计,该器件也常用于构建差分放大器、比较器和模拟开关等复杂电路结构。在消费电子、工业控制、通信基础设施以及汽车电子等领域,LBC807-25LT1 都具有广泛的应用价值。
BC847系列、BC857系列、MPSH10、2N3904、2N2222