时间：2025/9/14 21:33:59
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PIMC31,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款晶体管适用于各种高功率和高频应用，例如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等。PIMC31,115 采用先进的沟槽技术，确保了低导通电阻和高开关性能，同时在高电流条件下保持良好的热稳定性。该器件采用 TO-223 封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于在现代电子设备中集成使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30 V
栅源电压（VGS）：±20 V
连续漏极电流（ID）：48 A
导通电阻（RDS(on)）：最大 5.5 mΩ（在 VGS = 10 V）
功率耗散（PD）：75 W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：TO-223
PIMC31,115 MOSFET 的核心优势在于其出色的导通性能和高效的开关能力。由于采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，该器件在导通状态下具有极低的 RDS(on) 值，有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，其 TO-223 封装设计具备良好的热管理能力，使器件在高电流工作条件下仍能保持稳定运行，适用于高功率密度的设计。该器件还具有快速开关特性，减少开关过程中的能量损耗，提升整体性能。
另一个显著特性是其宽泛的温度适应范围，可在极端环境下正常工作，适用于工业级和汽车级应用。此外，PIMC31,115 具备高雪崩能量耐受能力，提升了器件在瞬态过压情况下的可靠性。这种坚固的结构设计使其在负载突变或电感反冲情况下不易损坏，增强了系统的稳定性。
PIMC31,115 常用于高性能电源系统，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制模块。由于其优异的导通和开关性能，它特别适用于需要高效能和高可靠性的应用，例如服务器电源、电信设备、电动车电子系统、工业自动化控制系统以及高功率 LED 照明驱动电路。此外，该 MOSFET 还适用于需要频繁开关操作的功率调节设备，例如智能电表和太阳能逆变器等新能源应用领域。
IPD310N30N5, INF310SL30AKS, PMV310XPA, PSMN310-30PL, NVMFS5C310N}
