LBC807-25WT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管专为高增益和高频应用设计,广泛用于射频(RF)和音频放大电路中。LBC807-25WT1G 采用 SOT-23(SC-59)封装,体积小巧,适用于便携式电子设备和表面贴装电路板设计。该器件符合 RoHS 标准,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业和消费类电子应用。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流:100 mA
最大集电极-发射极电压:25 V
最大集电极-基极电压:30 V
最大功耗:300 mW
最大工作温度:150 °C
电流增益(hFE):110-800(根据等级划分)
频率响应:100 MHz(典型值)
封装类型:SOT-23(SC-59)
安装类型:表面贴装
LBC807-25WT1G 具备一系列优良的电气特性和物理特性,使其在多种电子电路中表现出色。
首先,该晶体管的最大集电极-发射极电压为25 V,能够承受较高的电压应力,适用于需要较高工作电压的电路设计。其最大集电极电流为100 mA,满足中等功率放大需求。
其次,LBC807-25WT1G 的电流增益范围广泛,从110到800不等,具体取决于等级划分。这种宽广的增益范围使其能够适应不同应用场景,从低噪声前置放大器到高增益开关电路都能灵活使用。
再者,该晶体管的工作频率可达100 MHz,适用于射频信号放大和高频切换应用。这使得LBC807-25WT1G在无线通信、传感器接口和音频放大等高频场景中表现出色。
此外,SOT-23封装不仅节省空间,还提供了良好的热管理和电气性能。这种封装方式非常适合自动化生产和表面贴装技术(SMT),有助于提高生产效率和降低制造成本。
最后,LBC807-25WT1G 符合 RoHS 标准,无铅环保,适用于现代电子产品对环保法规的要求。
LBC807-25WT1G 适用于多种电子系统和电路设计,尤其是在需要高增益、高频响应和紧凑封装的应用中。
该晶体管广泛应用于射频(RF)放大器电路中,作为前置放大器或驱动放大器,用于增强信号强度。由于其频率响应高达100 MHz,因此特别适合用于无线通信模块、射频识别(RFID)系统和低噪声放大电路。
此外,LBC807-25WT1G 还可用于音频放大器电路,如耳机放大器、麦克风前置放大器和低频功率放大器。其宽广的电流增益范围使其能够适应不同的音频电路设计需求,提供良好的音质表现。
在数字电路中,LBC807-25WT1G 可作为开关元件使用,适用于LED驱动、继电器控制和逻辑电平转换等应用。其100 mA的最大集电极电流足以驱动多种小型负载。
由于其SOT-23封装体积小巧,LBC807-25WT1G 也广泛应用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、穿戴设备和物联网(IoT)设备等。这些设备对空间和功耗要求较高,LBC807-25WT1G 的低功耗和紧凑设计正好满足这些需求。
最后,在工业自动化和传感器接口电路中,该晶体管可作为信号调理和开关控制元件,实现高效的数据采集和控制功能。
BC847系列, 2N3904, PN2222A, MMBT3904, S8050