RF18N150F251CT是一款高性能的射频功率晶体管,专为高频放大器应用设计。该器件采用先进的硅双极型晶体管(Si Bipolar)技术制造,具有出色的线性度和增益性能,适用于广播、通信以及工业领域中的射频功率放大。其优化的设计使其能够在高频段提供稳定的输出功率和效率。
型号:RF18N150F251CT
类型:射频功率晶体管
集电极最大电流:18A
集电极-发射极击穿电压:150V
最高工作频率:250MHz
增益带宽积:10GHz
封装形式:TO-247
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
典型增益:20dB
最大耗散功率:300W
RF18N150F251CT具备高可靠性、低噪声和优异的热管理能力。
其主要特点包括:
1. 高频率操作能力,能够覆盖广泛的射频应用需求。
2. 强大的电流处理能力,确保在高负载条件下稳定运行。
3. 极佳的线性表现,有效减少信号失真。
4. 高效的散热设计,延长了器件的使用寿命。
5. 严格的工艺控制保证了产品的一致性和长期稳定性。
此外,该器件还经过严格的老化测试,确保其在恶劣环境下的可靠表现。
RF18N150F251CT广泛应用于以下领域:
1. 广播电台的高频功率放大器。
2. 无线通信基站中的射频功率模块。
3. 工业设备如等离子体发生器和感应加热装置中的功率放大。
4. 测试与测量设备中的射频信号源。
5. 军事和航空航天领域的雷达系统和卫星通信设备。
该器件因其卓越的性能和可靠性,成为许多射频功率应用的理想选择。
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