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RF18N150F251CT 发布时间 时间:2025/6/23 10:21:53 查看 阅读:4

RF18N150F251CT是一款高性能的射频功率晶体管,专为高频放大器应用设计。该器件采用先进的硅双极型晶体管(Si Bipolar)技术制造,具有出色的线性度和增益性能,适用于广播、通信以及工业领域中的射频功率放大。其优化的设计使其能够在高频段提供稳定的输出功率和效率。

参数

型号:RF18N150F251CT
  类型:射频功率晶体管
  集电极最大电流:18A
  集电极-发射极击穿电压:150V
  最高工作频率:250MHz
  增益带宽积:10GHz
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
  典型增益:20dB
  最大耗散功率:300W

特性

RF18N150F251CT具备高可靠性、低噪声和优异的热管理能力。
  其主要特点包括:
  1. 高频率操作能力,能够覆盖广泛的射频应用需求。
  2. 强大的电流处理能力,确保在高负载条件下稳定运行。
  3. 极佳的线性表现,有效减少信号失真。
  4. 高效的散热设计,延长了器件的使用寿命。
  5. 严格的工艺控制保证了产品的一致性和长期稳定性。
  此外,该器件还经过严格的老化测试,确保其在恶劣环境下的可靠表现。

应用

RF18N150F251CT广泛应用于以下领域:
  1. 广播电台的高频功率放大器。
  2. 无线通信基站中的射频功率模块。
  3. 工业设备如等离子体发生器和感应加热装置中的功率放大。
  4. 测试与测量设备中的射频信号源。
  5. 军事和航空航天领域的雷达系统和卫星通信设备。
  该器件因其卓越的性能和可靠性,成为许多射频功率应用的理想选择。

替代型号

RF16N150F251CT
  RF20N150F251CT

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RF18N150F251CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥1.17068卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容15 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-