LBAT54CLT1G 时间：2025/6/6 16:37:06 阅读：4

LBAT54CLT1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压事件的损害。该器件具有低电容特性，非常适合高速数据线路的应用场景，例如 USB、HDMI 和其他高速接口。
　　这款 TVS 二极管阵列采用微型 SOT-23 封装形式，具备出色的 ESD 防护能力，同时保持了信号完整性和低插入损耗。

参数

封装：SOT-23
　　工作电压（VWM）：5.8V
　　击穿电压（VBR）：6V
　　最大箝位电压（VC）：21V
　　峰值脉冲电流（IPP）：10A
　　结电容（Cj）：9pF
　　响应时间：1ps
　　ESD 防护等级（HBM）：±30kV
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LBAT54CLT1G 具有以下显著特点：
　　1. 高度可靠的 ESD 防护功能，可承受 ±30kV 的 HBM 模式静电放电。
　　2. 极低的电容值（仅 9pF），确保在高速数据传输应用中不会影响信号质量。
　　3. 快速响应时间（1ps），能够迅速抑制瞬态电压尖峰，从而有效保护后端电路。
　　4. 耐用性强，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温范围内稳定运行。
　　5. 小型化的 SOT-23 封装设计，便于集成到紧凑型设计中。

应用

LBAT54CLT1G 广泛应用于需要 ESD 防护的各种场景，包括但不限于：
　　1. USB 接口保护。
　　2. HDMI 和 DisplayPort 数据线防护。
　　3. 移动设备中的 I/O 端口保护。
　　4. 工业通信总线（如 RS-232 和 RS-485）的瞬态电压抑制。
　　5. 无线模块和射频前端电路的防护。