时间：2025/8/6 3:24:01
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IXFN70N100X 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件设计用于高电压和高电流应用，适用于工业控制、电源转换、电机驱动和可再生能源系统等领域。该 MOSFET 采用了先进的制造工艺，确保了高效能和高可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：1000 V
漏极电流（Id）：70 A
栅极电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.27 Ω
功耗（Pd）：300 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXFN70N100X MOSFET 具备多项优异的电气特性和可靠性，适用于高性能电源应用。该器件的最大漏源电压可达 1000V，能够承受高电压应力，适合用于高电压直流（HVDC）系统和高压逆变器。漏极电流额定值为 70A，允许在高负载条件下稳定运行。其导通电阻较低，典型值为 0.27Ω，能够减少导通损耗，提高整体效率。此外，该 MOSFET 的栅极电压范围为 ±20V，确保了栅极控制的稳定性和抗干扰能力。
在热性能方面，IXFN70N100X 能够在高温环境下正常工作，最大工作温度可达 150°C，适用于工业级和高温应用场景。其 TO-247 封装形式具有良好的散热性能，能够有效降低结温，提高器件的长期可靠性。该器件的开关速度快，适用于高频开关电路，如 DC-DC 转换器、电机驱动器和太阳能逆变器。此外，该 MOSFET 内置了快速恢复二极管，有助于减少开关损耗并提高系统的整体效率。
IXFN70N100X 主要用于高压和高功率电子系统，例如工业电源、电机控制、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、高压直流变换器和焊接设备等。由于其高耐压能力和高电流承载能力，该器件非常适合用于需要高可靠性和高效率的工业自动化设备和能源管理系统。
IXFN68N100P、IXFN70N100Q、IXFN70N100X2、IXFN75N100P
