类型：NPN 双极晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

LBAS21SLT1H 晶体管具有多项优良特性，适用于广泛的电子设计需求。首先，其 NPN 构造使其能够有效地用作开关和放大元件，适用于低功率到中等功率的应用。最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 50 V，这使得该晶体管能够在较高的电压和电流条件下稳定运行，而不会发生击穿或损坏。
　　其次，该器件的电流增益（hFE）范围较宽，从 110 到 800，具体数值取决于工作电流和电压条件。这种高增益特性使其非常适合用于信号放大器和低噪声放大电路。此外，该晶体管的频率响应可达 100 MHz，这使得它在高频应用中也能表现出色，例如射频（RF）信号处理和高速开关应用。
　　封装方面，LBAS21SLT1H 采用 SOT-23 小型表面贴装封装，这不仅节省了 PCB 空间，还便于自动化生产，提高了装配效率。同时，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保了在极端环境条件下的稳定性和可靠性，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
　　该晶体管的功耗为 300 mW，在正常工作条件下能够有效散热，避免过热损坏。此外，LBAS21SLT1H 的结构设计和制造工艺确保了其较低的饱和压降（Vce_sat），这有助于提高开关效率并减少功率损耗。这些特性使其在数字电路、逻辑门电路、驱动电路和传感器接口电路中具有广泛的应用潜力。

LBAS21SLT1H 晶体管广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，该器件可用于音频放大器、遥控器、玩具和家用电器的控制电路。在工业自动化领域，它可以作为继电器驱动器、电机控制开关和传感器信号放大器。在通信设备中，LBAS21SLT1H 的高频特性使其适用于低噪声放大器和射频信号处理模块。此外，在汽车电子系统中，该晶体管可应用于车载娱乐系统、发动机控制单元（ECU）和照明控制系统。由于其小型封装和高可靠性，LBAS21SLT1H 也常用于便携式设备、电池供电设备和嵌入式系统的信号处理和开关控制电路。

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A