LBAS21LT1 时间：2025/8/13 9:57:19 阅读：17

LBAS21LT1 是一款由ON Semiconductor生产的通用小信号双极型晶体管（BJT），采用NPN结构，适用于各种低功率开关和放大应用。该器件采用SOT-23封装，适合表面贴装工艺，广泛用于便携式设备、消费电子产品和工业控制系统中。LBAS21LT1具有高增益、低饱和压降和快速开关特性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。

参数

类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110至800（根据档位不同）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

LBAS21LT1是一款性能稳定、可靠性高的通用晶体管。其主要特性包括高电流增益（hFE）范围广，能够满足不同应用场景对放大系数的需求。该晶体管在低电压条件下仍能保持良好的性能，适用于电池供电设备等对功耗敏感的应用。
　　此外，LBAS21LT1具备良好的开关特性，其过渡频率（fT）高达100 MHz，可在高频开关电路中使用。晶体管的集电极和发射极之间的饱和压降低，有助于减少导通损耗，提高能效。
　　该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并支持自动贴片工艺，提高了生产效率。LBAS21LT1的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，确保其在极端环境下的稳定运行。

应用

LBAS21LT1广泛应用于各类电子设备中的小信号放大和开关电路。例如，在便携式电子产品中，可用作信号放大器或驱动晶体管，控制LED、继电器和小型电机等负载。在通信设备中，LBAS21LT1可用于射频信号放大或调制电路。
　　此外，该晶体管也常用于电源管理电路、逻辑电路接口、传感器信号调理电路以及各种工业控制模块。由于其封装小巧、性能稳定，LBAS21LT1也被广泛用于嵌入式系统和物联网（IoT）设备中。