LBAS16WT1G 时间：2025/8/14 2:28:18 阅读：25

LBAS16WT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管阵列，常用于逻辑电路、信号转换和通用开关应用。该器件采用6引脚TSSOP封装，适合在工业控制、消费电子和通信设备中使用。

参数

类型：双极型晶体管阵列
　　晶体管数量：2个
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗：200 mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TSSOP-6

特性

LBAS16WT1G 是一款高集成度的双晶体管阵列，适用于多种电子电路设计。该器件内部包含两个独立的NPN型晶体管，每个晶体管均可独立使用，具备良好的电气性能和稳定性。
　　其主要特性之一是高耐压能力，集电极-发射极电压（Vce）最大可承受50V，集电极-基极电压（Vcb）同样为50V，这使得该器件在高压应用中具有良好的可靠性。最大集电极电流为100mA，足以满足多数中低功率应用的需求。
　　此外，LBAS16WT1G 采用TSSOP-6封装，体积小巧，适合在空间受限的PCB设计中使用。该封装还具备良好的热性能，有助于在高电流工作条件下保持器件稳定。
　　器件的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适用于工业级环境，确保在极端温度条件下仍能正常工作。最大功耗为200mW，设计时需注意散热管理，以确保长期稳定运行。
　　由于其双晶体管结构和通用性，LBAS16WT1G 常用于逻辑电平转换、开关控制、驱动继电器或LED等应用场景。