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LB10070LRNH 发布时间 时间:2025/9/5 20:09:50 查看 阅读:5

LB10070LRNH 是一颗由ONSEMI(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管专为高频率应用而设计,适用于射频(RF)和中频(IF)放大电路。LB10070LRNH广泛用于通信设备、工业控制、消费电子等需要高性能晶体管的场合。该器件采用SOT-223封装,具备良好的热稳定性和高频响应能力。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):30V
  最大集电极-基极电压(Vcb):30V
  最大功耗(Pd):300mW
  最大工作温度:150°C
  电流增益(hFE):110 - 800(根据档位)
  频率响应(fT):7GHz
  封装类型:SOT-223

特性

LB10070LRNH 是一款高频NPN晶体管,具有优异的高频性能和稳定的电流放大特性。其7GHz的过渡频率(fT)使其适用于高频放大器、混频器、振荡器等射频电路设计。该晶体管的SOT-223封装形式具有良好的散热能力,适合在高密度PCB布局中使用。
  此外,LB10070LRNH具备较低的噪声系数,适合用于低噪声放大器(LNA)的设计。其电流增益范围较宽,可以根据应用需求选择不同的hFE档位,从而优化电路性能。同时,该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅工艺和环保要求较高的电子产品中。
  在可靠性方面,LB10070LRNH具备良好的热稳定性和抗静电能力,能够在较宽的温度范围内稳定工作。这使得它在工业级和消费级应用中都能表现出色。

应用

LB10070LRNH 主要用于高频信号放大、射频前端电路、无线通信模块、低噪声放大器(LNA)、混频器、振荡器等应用场合。此外,该晶体管也可用于音频放大、开关电路以及各种模拟电路设计中。由于其高频特性和低噪声性能,LB10070LRNH在无线局域网(WLAN)、蓝牙模块、ZigBee通信设备、射频识别(RFID)系统中均有广泛应用。

替代型号

BCX55-10, BFQ59, BFQ67, 2SC3355, 2SC3812

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