时间：2025/7/16 12:53:29
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IXFR40N90P是由International Rectifier（现为Infineon Technologies）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装形式，主要应用于需要高电压和中等电流处理能力的场景，例如开关电源、电机驱动、逆变器和工业控制等领域。IXFR40N90P具有较低的导通电阻和良好的开关性能，适合在高频应用中使用。
此器件是快速恢复增强型MOSFET，能够提供出色的效率和可靠性。其耐压能力高达900V，能够在恶劣的电气环境下稳定工作。
最大漏源电压：900V
最大连续漏极电流：4A
最大栅极源极电压：±20V
导通电阻（RDS(on)）：6.5Ω（典型值，VGS=10V时）
总功耗：18W
结温范围：-55℃至+150℃
存储温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
IXFR40N90P的主要特点是高压性能和低导通电阻的结合。以下列出其关键特性：
1. 高击穿电压（900V），适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻（6.5Ω典型值），减少传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，降低开关损耗。
4. 热稳定性好，能在宽温度范围内可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且适合现代设计要求。
6. TO-247封装便于散热和安装，适合功率应用。
IXFR40N90P适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 工业自动化设备中的固态继电器。
4. 逆变器及不间断电源（UPS）系统中的功率转换元件。
5. 各类高压负载切换应用。
6. 可再生能源设备中的功率管理模块，如太阳能逆变器。
IRFP460N
STP4NB90K
FDP18N100
IXTH8N100P
