型号：D82-004
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：双NPN晶体管阵列
　　封装类型：SOT-26
　　引脚数：6
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：70V
　　最大发射极-基极电压（Vebo）：6V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大总功耗（Ptot）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：100 至 400（典型值）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

D82-004双NPN晶体管阵列具备优异的电气性能和热稳定性，适用于多种高频与低噪声应用场景。其内部两个晶体管彼此独立，允许用户灵活配置为共射极、共基极或达林顿连接方式，从而满足不同的电路需求，如信号放大、逻辑电平转换、负载驱动等。每个晶体管均具有较高的直流电流增益（hFE），通常在100至400之间，确保了良好的信号放大能力，尤其适合小信号处理场合。
　　该器件的过渡频率（fT）高达100MHz，表明其在高频条件下仍能保持有效的增益表现，可用于中频放大器或高速开关电路。同时，D82-004的最大集电极电流为100mA，足以驱动继电器、LED指示灯或其他小型负载，在便携式设备中表现出色。由于采用SOT-26小型化封装，该器件不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，能够在紧凑布局中维持稳定工作。
　　热阻参数经过优化设计，结到环境的热阻（RthJA）约为416.7°C/W，有助于在有限功耗下控制温升。此外，器件的击穿电压指标适中，Vceo为50V，适用于5V、12V或24V系统，兼容主流电源电压等级。其制造过程遵循严格的品质控制标准，确保批次一致性高，提升了大批量生产时的良率和可靠性。D82-004还具备良好的ESD防护能力，增强了在实际装配和使用过程中的抗干扰性。

D82-004广泛应用于各类中低功率电子系统中，尤其适合需要多路晶体管集成的场景。在消费类电子产品中，它常被用作音频前置放大器、耳机驱动电路或音量控制模块中的信号放大单元，凭借其低噪声特性和稳定的增益表现，可有效提升音频质量。在通信设备中，D82-004可用于射频信号的缓冲放大或调制解调电路中的开关控制，发挥其高频响应优势。
　　在工业控制领域，该器件常作为PLC输入输出接口的电平转换或继电器驱动元件，实现微控制器与高电压/大电流负载之间的隔离与驱动。此外，在电源管理系统中，D82-004可用于稳压电路中的误差放大器或反馈控制部分，帮助调节输出电压精度。其双晶体管结构也使其成为构建简单逻辑门电路（如与门、或门）的理想选择，适用于嵌入式系统中的状态检测或信号整形功能。
　　在汽车电子中，D82-004可用于车身控制模块中的灯光控制、电机驱动或传感器信号调理电路，因其工作温度范围宽，可在恶劣环境下可靠运行。同时，该器件也常见于测试测量仪器、医疗电子设备和智能家居产品中，作为通用开关或驱动元件使用。得益于其小型封装和高集成度，D82-004特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间敏感的应用场景。

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