时间：2025/12/28 6:45:42
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LAT67F-U2AB-24是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专为保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压事件的影响而设计。该器件属于PolyZen系列，结合了齐纳二极管和可控硅技术的优点，能够在异常电压条件下提供稳定可靠的保护机制。其封装形式为小型表面贴装SOD-882（也称为SC-109A或SOT-723），适合空间受限的高密度PCB布局应用。该器件常用于工业控制、通信接口、便携式消费类电子产品以及汽车电子系统中，确保在恶劣电磁环境下的系统稳定性与长期可靠性。
该型号的命名规则中，'LAT'代表Littelfuse的瞬态抑制器产品线，'67F'表示特定的电压等级与响应特性，'U2AB'通常指双通道配置及引脚排列方式，而'24'则表明其工作电压约为24V DC。该器件具备低动态阻抗、快速响应时间和高浪涌承受能力等特点，在面对高达数安培的瞬态电流冲击时仍能维持稳定的钳位性能，防止后级电路受损。此外，其低漏电流和低电容特性使其适用于高速信号线路的保护，不会对正常信号传输造成明显干扰。
类型：瞬态电压抑制二极管阵列
通道数：2
工作电压（VRWM）：24V
最大峰值脉冲电流（Ipp）：具体数值需参考数据手册
钳位电压（Vc）：典型值小于35V（在指定测试电流下）
反向漏电流（IR）：≤ 1μA @ 24V, 25°C
电容值（Cj）：每通道典型值约15pF
响应时间：< 1ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOD-882（SC-109A）
极性：双向保护设计（部分型号可支持单向）
LAT67F-U2AB-24的核心特性之一是其集成化的PolyZen结构，这种结构融合了传统齐纳二极管的稳压特性和可控硅的高能量吸收能力，使得器件在遭遇长时间过压或频繁瞬态事件时仍能保持功能完整性。当输入电压超过预定阈值时，内部触发机制会迅速激活导通路径，将多余能量引导至地线，同时限制输出端电压在安全范围内。这一过程可在纳秒级时间内完成，有效避免被保护IC因电压骤升而导致损坏。
另一个显著优势是其出色的热管理和功率耗散能力。尽管体积微小，但得益于优化的芯片布局和材料选择，该器件能够承受IEC 61000-4-2接触放电标准下的±30kV ESD冲击，并符合多项国际电磁兼容（EMC）认证要求。此外，其双通道设计允许独立保护两条信号线或电源轨，广泛适用于RS-485、CAN总线、USB接口或其他工业通信链路。
器件还具有自恢复功能，在瞬态事件结束后自动复位到高阻态模式，无需外部干预即可恢复正常运行状态，极大提升了系统的可用性和维护便利性。由于采用无铅环保材料制造并符合RoHS指令要求，LAT67F-U2AB-24适用于各类绿色电子产品设计项目。
该器件主要应用于需要高等级电应力防护的电子系统中。例如，在工业自动化设备中，它可用于PLC模块、传感器接口和现场总线收发器的前端保护，抵御来自长距离电缆耦合进来的瞬变干扰。在电信基础设施领域，如基站控制器或光网络单元（ONU），LAT67F-U2AB-24可部署于电源输入端或数据接口处，提升整体系统的抗扰度。
在汽车电子方面，该TVS阵列适用于车身控制模块、车载信息娱乐系统以及辅助驾驶系统的低压供电网络，特别是在启停系统或负载突降（Load Dump）场景下提供关键保护。消费类电子产品如智能仪表、医疗监测装置和便携式测试仪器也可从中受益，确保用户操作安全与设备寿命延长。此外，其小型化封装非常适合用于空间受限的应用场合，如可穿戴设备或微型传感器节点，实现高效且紧凑的电路保护方案。
SP3006-04UTG
SRV05-4
TPD1E10B06
