时间：2025/8/28 7:55:07
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PQ1CG21H2FZ 是一款由Rohm（罗姆）公司制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率的电源管理和功率转换应用。这款MOSFET的封装类型为H2FZ，适用于需要高电流和高电压性能的场合。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：100A
漏极-源极电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ @ VGS=10V
封装：H2FZ
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
PQ1CG21H2FZ 具有较低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于大功率应用。此外，该MOSFET的栅极氧化层设计可提供更高的栅极耐用性，从而在高应力工作条件下提供更高的可靠性。
这款MOSFET的封装设计有助于良好的热管理和散热性能，适用于需要长时间高负载运行的设备。它还具有良好的短路耐受能力，使得在异常工作条件下依然保持稳定。PQ1CG21H2FZ的高性能特性使其在汽车电子、工业电源、DC-DC转换器以及电池管理系统中得到广泛应用。
该MOSFET支持快速开关操作，有助于提高电路的工作频率，从而减少外部元件的尺寸和整体系统成本。此外，其高可靠性和耐用性也使其适用于高温环境下的工作条件。
PQ1CG21H2FZ MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，例如电动汽车的电池管理系统（BMS）、工业电源设备、服务器电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及各种类型的功率放大器。由于其优异的导通性能和热管理能力，它也非常适合用于需要高效能和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和逆变器控制单元。
SiR178DP-T1-GE3, IPPB90N06S4-03, FDP100N60FS
