ATF551M4-TR1G是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款射频(RF)功率晶体管,广泛用于射频放大器和高频电路应用中。这款器件采用先进的硅双极型工艺制造,具有优异的高频性能和可靠性,适用于无线通信、工业和消费类电子设备中的功率放大应用。ATF551M4-TR1G采用了SOT-89封装,便于散热并提供良好的射频性能。
类型:射频功率晶体管
封装类型:SOT-89
最大集电极电流:100 mA
最大集电极-发射极电压:15 V
最大工作频率:2.5 GHz
增益:18 dB(典型值)
输出功率:28 dBm(典型值)
工作温度范围:-65°C至+150°C
ATF551M4-TR1G具有优异的射频性能和高增益特性,适用于多种高频放大器设计。该晶体管在2.5 GHz的频率下仍能保持稳定的性能,使其成为无线通信和射频前端应用的理想选择。器件的增益典型值为18 dB,输出功率可达28 dBm,能够满足中等功率射频放大需求。
此外,ATF551M4-TR1G采用低噪声设计,能够在保持高增益的同时降低系统的整体噪声水平,从而提高信号接收的质量。这种特性使其适用于需要高灵敏度和低噪声的射频接收器电路。
器件的SOT-89封装不仅提供了良好的散热性能,还简化了PCB布局和焊接工艺,提高了产品的生产效率和稳定性。ATF551M4-TR1G还具有宽工作温度范围(-65°C至+150°C),确保了在各种环境条件下都能稳定运行,适用于工业级和商业级应用。
由于其优异的线性度和高效率特性,ATF551M4-TR1G也适用于需要高保真信号放大的应用,例如无线基站、手持设备和射频测试仪器。
ATF551M4-TR1G广泛应用于无线通信系统中的射频功率放大器、频率合成器、射频测试设备和微波通信设备。由于其高增益和良好的线性性能,该器件也适用于Wi-Fi、蓝牙、ZigBee等无线连接技术中的发射模块设计。此外,该晶体管还常用于工业控制系统、医疗电子设备以及消费类电子产品中的射频信号放大。
MMRF6S0103NTR2G