L8550HPLT1G 时间：2025/4/28 17:09:34 阅读：22

L8550HPLT1G 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率 MOSFET 驱动器芯片，主要用于驱动 N 沟道 MOSFET 或 IGBT。该器件能够提供高电流输出以快速切换功率晶体管，并具有出色的抗噪声能力。
　　其典型应用包括开关电源、电机控制和逆变器等场景，适合需要高效能和可靠性的工业及消费类电子系统。

参数

类型：功率 MOSFET 驱动器
　　封装形式：SO8
　　输入电压范围：4.5V 至 20V
　　峰值输出电流：1.5A（源极/漏极）
　　传播延迟时间：最大 70ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　静态电流：典型值 15μA
　　最小导通时间：200ns

特性

L8550HPLT1G 具有以下主要特点：
　　1. 高驱动能力，可有效减少 MOSFET 或 IGBT 的开关损耗。
　　2. 内置死区时间控制功能，防止上下桥臂直通。
　　3. 低输入电容设计，提高了抗噪性能并简化了逻辑接口。
　　4. 快速开关速度，有助于降低电磁干扰 (EMI) 并提升系统效率。
　　5. 宽泛的供电电压范围使得该器件在各种应用场景中具备灵活性。
　　6. 提供过温保护机制，增强了系统的安全性和稳定性。

应用

L8550HPLT1G 芯片适用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动电路，例如无刷直流电机 (BLDC) 控制器。
　　3. 逆变器模块，用于太阳能发电或不间断电源 (UPS) 系统。
　　4. 各种工业自动化设备中的功率级控制。
　　5. 消费电子产品中的负载切换和保护功能实现。