时间：2025/8/2 5:24:59
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WSD30L20DN 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的电力电子系统中。该器件采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和优秀的开关性能。WSD30L20DN 特别适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和各种工业应用。其封装形式为DPAK（TO-252），便于安装在PCB板上并具备良好的热管理能力。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏极-源极电压（VDS）：200V
导通电阻（Rds(on)）：65mΩ（最大值，@VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：DPAK（TO-252）
WSD30L20DN 采用先进的沟槽式MOSFET设计，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体系统效率。该器件具备优异的开关特性，能够在高频条件下工作，减少开关损耗，适用于高频率的DC-DC转换器和电源管理系统。此外，WSD30L20DN 具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下保持稳定的性能。其DPAK封装设计不仅便于安装，还能提供良好的散热性能，延长器件的使用寿命。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持标准的10V驱动电压，并具备一定的过压耐受能力，适用于多种控制电路设计。WSD30L20DN 还具备较强的抗短路能力和过载保护功能，能够在极端工作条件下保持稳定，减少器件损坏的风险。
WSD30L20DN 广泛应用于各种电力电子系统，包括工业电源、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。由于其高电流承载能力和优异的热稳定性，该器件特别适合用于高功率密度设计和对可靠性要求较高的应用场景。
TK30A60D,SIP30N20,IPP30N20
