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L6385D013TR 发布时间 时间:2025/7/22 4:30:24 查看 阅读:10

L6385D013TR 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高边栅极驱动器芯片,主要用于驱动N沟道MOSFET和IGBT。该芯片采用高压工艺制造,能够承受高达600V的电压,适用于各种功率转换和电机控制应用。L6385D013TR采用14引脚SO封装,具有良好的热性能和电气性能。

参数

工作电压:最高600V
  输入电压范围:5V至20V
  输出驱动电流:典型值300mA
  传播延迟:典型值80ns
  工作温度范围:-40°C至125°C
  封装类型:SO-14

特性

L6385D013TR具备多项保护功能,包括欠压锁定(UVLO)和互锁保护,确保在电源电压不足或控制信号异常时不会误触发功率器件。
  其高边驱动能力使其适用于半桥和全桥拓扑结构中的功率MOSFET驱动。
  芯片内部集成了自举二极管,简化了外部电路设计。
  具有较低的传播延迟和延迟匹配时间,有助于提高系统的响应速度和效率。
  L6385D013TR的封装设计确保了良好的散热性能,适合在高功率密度应用中使用。

应用

L6385D013TR广泛应用于电源转换系统,如DC-DC转换器、电机驱动器、无刷直流电机控制器以及工业自动化设备中的功率开关控制。
  它也常用于家用电器如空调、洗衣机等需要高效能电机控制的场合。
  此外,该芯片还适用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等高可靠性系统。

替代型号

L6385D013TR的替代型号包括L6385E和IR2110。L6385E是同一厂商的相似产品,具有类似的电气特性和封装形式;IR2110则是国际整流器公司(Infineon)生产的高压栅极驱动器,功能相近但引脚排列和部分参数略有不同,使用时需注意外围电路的调整。

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L6385D013TR参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置半桥
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间110ns
  • 电流 - 峰400mA
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)600V
  • 电源电压17V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 配用497-5492-ND - EVAL BOARD FOR L6384/L6385/L6386
  • 其它名称497-3650-2