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UMH11NTN 发布时间 时间:2025/5/7 23:15:10 查看 阅读:6

UMH11NTN是一款高性能的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等场景。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适合在高频开关电路中使用。
  UMH11NTN采用先进的制造工艺,优化了其电气性能和热特性,使其能够在苛刻的工作条件下保持稳定运行。此外,它还具有良好的静电防护能力,便于实际装配和操作。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:45nC
  反向恢复时间:75ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

UMH11NTN的核心优势在于其卓越的电气性能和应用适应性:
  1. 极低的导通电阻(1.2mΩ)显著降低了功率损耗,提高了整体效率。
  2. 高额定电流(38A)支持大功率应用,适用于工业和汽车领域。
  3. 快速开关速度(反向恢复时间为75ns)使得该器件非常适合高频电路。
  4. 宽温度范围(-55℃至+175℃)确保了其在极端环境下的可靠运行。
  5. 小型化封装设计节省了PCB空间,同时具备优良的散热性能。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全。

应用

UMH11NTN广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和主开关。
  2. 电机驱动电路中的功率级元件。
  3. 汽车电子系统,例如电动助力转向和制动系统。
  4. 工业自动化设备中的逆变器和控制器。
  5. LED驱动电路中的高效功率开关。
  6. 其他需要低损耗和高速开关的应用场景。

替代型号

UMH11NTP, IRFZ44N, AO3400A

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UMH11NTN参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装UMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称UMH11NTNTR