UMH11NTN是一款高性能的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等场景。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适合在高频开关电路中使用。
UMH11NTN采用先进的制造工艺,优化了其电气性能和热特性,使其能够在苛刻的工作条件下保持稳定运行。此外,它还具有良好的静电防护能力,便于实际装配和操作。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:38A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:45nC
反向恢复时间:75ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
UMH11NTN的核心优势在于其卓越的电气性能和应用适应性:
1. 极低的导通电阻(1.2mΩ)显著降低了功率损耗,提高了整体效率。
2. 高额定电流(38A)支持大功率应用,适用于工业和汽车领域。
3. 快速开关速度(反向恢复时间为75ns)使得该器件非常适合高频电路。
4. 宽温度范围(-55℃至+175℃)确保了其在极端环境下的可靠运行。
5. 小型化封装设计节省了PCB空间,同时具备优良的散热性能。
6. 符合RoHS标准,环保且安全。
UMH11NTN广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和主开关。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 汽车电子系统,例如电动助力转向和制动系统。
4. 工业自动化设备中的逆变器和控制器。
5. LED驱动电路中的高效功率开关。
6. 其他需要低损耗和高速开关的应用场景。
UMH11NTP, IRFZ44N, AO3400A