时间：2025/9/6 10:03:09
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L50ESDL12VH4-2 是一款专为保护敏感电子设备而设计的瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术，能够在电压瞬变事件（如静电放电、雷击浪涌或电感负载切换）发生时迅速响应，并将有害电压钳制在安全水平。该器件适用于各种电子系统中的电源和信号线路保护，具有高可靠性和广泛的应用兼容性。
工作电压：12V
峰值脉冲电流（8/20μs）：50A
钳位电压：19.9V（最大）
反向截止电压：12V
封装类型：SMD，4引脚
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装尺寸：根据具体制造商有所不同
保护线路数：2线
L50ESDL12VH4-2 是一款双向TVS二极管阵列，提供高效的电压瞬态保护。其主要特性包括低动态电阻和快速响应时间，确保在静电放电（ESD）事件中能迅速钳位电压，防止对下游电路造成损害。
该器件具有高浪涌承受能力，能够承受高达50A的8/20μs波形峰值电流，适用于可能遭受高能量瞬变的工业和汽车应用环境。
其双向特性使得该器件适用于交流信号线路保护，同时SMD封装形式提供了良好的PCB空间利用率，适合高密度电路板设计。
此外，该器件符合IEC 61000-4-2标准，可提供高达±30kV的空气放电保护和±30kV的接触放电保护等级，适用于要求严苛的电磁兼容性（EMC）环境。
该器件的内部结构由两个TVS二极管组成，可独立或同时用于两路信号线或电源线路的保护，提供灵活的电路设计选项。
L50ESDL12VH4-2 主要用于需要高水平静电放电（ESD）保护的电子设备中，例如工业控制设备、通信设备、消费电子产品、汽车电子系统、电源模块、HDMI/USB接口保护、传感器接口保护以及任何需要在有限空间内提供高效瞬态电压抑制的场合。
L50ESDL12VH4-2TR, L50ESDL12VH4-2TP, SMAJ12CA, SMBJ12CA, SMCJ12CA
