时间：2025/5/30 10:57:03
阅读：8
SUP75N05-07 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于多种电源管理应用。其额定电压为 50V，连续漏极电流可达 75A，能够满足高功率密度设计的需求。
该器件通常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能和高可靠性的电子电路中。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：75A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极电荷：16nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
SUP75N05-07 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可减少功率损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关性能，支持高频工作环境，降低电磁干扰。
3. 高电流承载能力，适合大功率应用场景。
4. 稳定的工作温度范围，能够在 -55°C 至 +150°C 的结温范围内正常运行。
5. 提供出色的热管理和散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 电池管理系统（BMS），特别是电动汽车和储能系统。
4. 大功率 LED 驱动器。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 逆变器和 UPS 系统中的功率级组件。
IRF740,
STP75N06,
FDP75N06L,
IXYS75N06P3
