时间：2025/9/14 7:14:29
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PSMN045-80YS,115 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用增强型N沟道结构，适用于高效率功率转换和开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和高电流承载能力，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块和电机驱动系统等。PSMN045-80YS,115 采用先进的工艺制造，确保了在高频率和高温条件下仍具有稳定的性能表现。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：80V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：110A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流：330A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：120nC
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
封装类型：PowerSO-10
PSMN045-80YS,115 采用先进的Trench工艺技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的高电流能力使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其坚固的结构设计确保了在极端工作条件下（如高温或高湿度环境）仍能保持稳定性能。该器件的封装形式为PowerSO-10，具备良好的热管理和电气性能，适合SMD表面贴装工艺，提高了生产效率。
PSMN045-80YS,115 还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供更高的可靠性。其优化的栅极设计降低了栅极电荷（Qg），有助于减少驱动电路的功耗，提高整体系统的能效。这些特性使得该MOSFET在汽车电子、工业自动化、电源供应器等领域具有广泛的应用前景。
PSMN045-80YS,115 常用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）和功率因数校正（PFC）电路等应用场景。由于其高效率和高可靠性，该器件在汽车电子系统（如车载充电器、电动助力转向系统）中也有广泛应用。
SiR142DP-T1-GE3, IRF1405, BSC050N08NS5, IPP075N08N3G, FDS8878
