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L400BB55RI 发布时间 时间:2025/9/30 4:40:51 查看 阅读:14

L400BB55RI是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的过电压保护。该器件属于表面贴装型(SMD)封装,适用于需要高可靠性及紧凑布局的电子设备中。L400BB55RI设计用于吸收突发的瞬态能量,例如静电放电(ESD)、雷击感应脉冲或开关噪声等,从而保护下游敏感电子元件免受损坏。其额定反向关断电压为55V,能够在短时间内承受高达400W的峰值脉冲功率(符合IEC 61000-4-2标准)。该TVS二极管具有快速响应时间,通常在皮秒级别,能够在瞬态事件发生的瞬间迅速钳位电压,限制其对系统的影响。此外,L400BB55RI采用低电容设计,使其特别适合用于高速数据线路的保护,如通信接口、USB端口、以太网连接器等场景。该器件广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子和电信基础设施等领域,提供稳定可靠的保护性能。

参数

型号:L400BB55RI
  制造商:Littelfuse
  器件类型:TVS二极管
  封装形式:SOD-123
  极性:双向
  反向关断电压(VRWM):55V
  击穿电压(VBR):61.1V @ 1mA
  最大钳位电压(VC):93.6V @ 4.3A
  峰值脉冲功率(PPPM):400W
  测试电流(IT):1mA
  最大反向漏电流(IR):10μA @ 55V
  电容值(C):15pF @ 0V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

L400BB55RI具备出色的瞬态电压抑制能力,能够有效应对各种电磁干扰和过电压事件。其核心特性之一是双向极性结构,这意味着它可以同时应对正负方向的瞬态电压冲击,非常适合用于交流信号线路或无法确定电压极性的应用场景。这种双向设计在电源线或差分信号线保护中尤为关键,确保无论瞬态电压来自哪个方向,都能被及时钳制在安全范围内。该器件采用了先进的半导体工艺制造,保证了稳定的电气特性和长期使用的可靠性。其响应速度极快,几乎在纳秒级内即可进入导通状态,将过电压迅速引导至地,防止其传递到后级电路。由于其低动态电阻特性,钳位电压相对较低,有助于减少对被保护器件的压力。
  L400BB55RI的另一个显著优势在于其低结电容(典型值为15pF),这使得它不会显著影响高频信号的完整性,因此非常适合用于高速数字通信接口的保护,例如RS-485、CAN总线、USB 2.0等。在这些应用中,传统高电容保护器件可能会引起信号失真或衰减,而L400BB55RI则能在不影响传输性能的前提下提供有效防护。此外,该器件采用SOD-123小型表面贴装封装,占用PCB空间小,便于实现自动化贴片生产,提升组装效率并降低整体成本。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适应严苛环境下的运行需求,包括高温工业环境或低温户外设备。综合来看,L400BB55RI是一款高性能、高可靠性的TVS二极管,兼顾了保护能力、信号兼容性和物理集成度,是现代电子系统中理想的过压保护解决方案。

应用

L400BB55RI常用于各类电子设备中需要瞬态过压保护的场合。典型应用包括工业控制系统中的I/O端口保护,防止因感应雷击或电源波动导致的损坏;在消费类电子产品中,用于USB接口、音频插孔、HDMI端子等易受ESD影响的部位,提升产品的耐用性和用户体验。在汽车电子领域,该器件可用于车载信息娱乐系统、传感器接口和CAN总线通信线路的防护,满足AEC-Q101可靠性标准的要求。此外,在电信设备、网络路由器、交换机以及基站模块中,L400BB55RI也被广泛部署于数据线和供电线路的前端,抵御雷电感应和电网瞬变带来的威胁。其双向特性和高能量吸收能力也使其适用于AC电源输入端的初级保护,配合其他保护元件构成多级防护体系。总之,凡是有潜在过电压风险且要求小型化、高可靠性的电路节点,都是L400BB55RI的理想应用场景。

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