2SK3990-01S 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,广泛用于高频率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统中。该器件采用小型SOP封装,适用于需要高效能和小体积的应用场景。其设计优化了导通电阻与开关性能之间的平衡,以实现更高的系统效率。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):10A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(ON)):50mΩ(典型值)
功率耗散(PD):4W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:SOP
2SK3990-01S 具有多个优良的电气特性,首先是其较低的导通电阻(RDS(ON)),这使得在导通状态下的功率损耗显著降低,从而提升了整体效率。
其次,该MOSFET支持较高的栅源电压(±20V),具有良好的栅极稳定性,能够在复杂的工作环境中保持稳定的性能。
此外,该器件的封装形式为SOP,具备较高的集成度,适用于紧凑型设计,并且便于在PCB上安装和散热管理。
在开关性能方面,2SK3990-01S 优化了内部结构,降低了开关过程中的能量损耗,使其适用于高频开关应用。
该MOSFET还具有良好的热稳定性和较高的可靠性,适合在工业级温度范围内运行,适用于要求严苛的应用场景。
2SK3990-01S 主要应用于高效开关电源(SMPS)、同步整流器、DC-DC转换器以及电池管理系统中。由于其高效率和小型封装的特点,该器件也常用于便携式电子设备的电源管理模块。
在电机控制领域,该MOSFET可用于H桥驱动电路,实现对直流电机或步进电机的精确控制。
此外,2SK3990-01S 还适用于负载开关、电源分配系统和LED驱动器等应用。
其高可靠性和宽工作温度范围也使其成为汽车电子系统中电源管理模块的优选器件。
在消费类电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中,该MOSFET可用于优化电源效率并减少空间占用。
2SK3990-01L, 2SK3990-01T